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| Artikel-Nr.: 3794E-2156657 Herst.-Nr.: IKD15N60RATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO252-3 Pinanzahl = 3
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und integrierter Diode in Gehäusen bietet einen platzsparenden Vorteil.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO252-3 | Pinanzahl: | 3 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156657, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD15N60RATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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