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Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156657
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKD15N60RATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Pinanzahl = 3

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und integrierter Diode in Gehäusen bietet einen platzsparenden Vorteil.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
30 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
250 W
Gehäusegröße:
PG-TO252-3
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156657, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD15N60RATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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