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| Artikel-Nr.: 3794E-2168365 Herst.-Nr.: IDDD04G65C6XTMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = PG-HDSOP Dauer-Durchlassstrom max. = 4A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = SiC-Schottky Pinanzahl = 10 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Schottky-Diode der Infineon IDD-Serie stellt das doppelte DPAK vor, das erste auf der Oberseite gekühlte SMD-Gerätegehäuse, das für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation geeignet ist. Er hat einen Nennstrom von 4 A. Es bietet eine Systemlösung für Starkstrom-Hartschaltsopologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.Ermöglicht höchste Energieeffizienz Thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | PG-HDSOP | Dauer-Durchlassstrom max.: | 4A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 10 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 2168365, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDDD04G65C6XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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