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| Artikel-Nr.:
3794E-2169268 Herst.-Nr.:
BSP250,115 EAN/GTIN:
5059043926810 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,65 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 10 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -65 °C
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 250 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,65 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 10 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 2169268, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSP250,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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