|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2169664 Herst.-Nr.:
TSM055N03EPQ56 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TSM025
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Weitere Informationen: | | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | TSM025 | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2169664, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Taiwan Semiconductor, TSM055N03EPQ56, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |