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| Artikel-Nr.: 3794E-2169665 Herst.-Nr.: TSM055N03PQ56 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PDFN56 Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Transistor-Werkstoff = Silicon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PDFN56 | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2169665, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Taiwan Semiconductor, TSM055N03PQ56, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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