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Taiwan Semiconductor TSM025 TSM300NB06DCR MOSFET 60 V / 25 A, 8-Pin PDFN56


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2169714
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM300NB06DCR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PDFN56
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Dauer-Drainstrom max.:
25 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
PDFN56
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
30 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: 2169714, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Taiwan Semiconductor, TSM300NB06DCR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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