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| Artikel-Nr.:
3794E-2172512 Herst.-Nr.:
IPC100N04S51R9ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = OptiMOS™ 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,9 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 40 V, N-Ch, max. 1,9 MΩ, Kfz-MOSFET, PQNF, OptiMOS\-5.OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel AEC Q101-zertifiziert MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur Green Product (RoHS-konform) 100 % Lawinenprüfung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | OptiMOS™ 5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,9 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 2172512, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPC100N04S51R9ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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