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| Artikel-Nr.:
3794E-2172532 Herst.-Nr.:
IPD80R2K7C3AATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,7 Ohm
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Infineon CoolMOS TM C3A-Technologie wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen höherer Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEVS und BEV gerecht zu werden.Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit Höhere Durchschlagsspannung Hohe Spitzenstrombelastbarkeit Kfz AEC Q101 zugelassen Grünes Gehäuse (RoHS-konform) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,7 Ohm | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2172532, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD80R2K7C3AATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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