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| Artikel-Nr.:
3794E-2172536 Herst.-Nr.:
IPD95R450P7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 950 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die neueste 950V CoolMOS TM P7-Serie von Infineon setzt eine neue Marke in 950V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt.Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss Reduzierter Qg, Ziss und KossBest-in-Class DPAK RDS(on) von 450 mΩ Klassenbeste VGS(th) von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM) Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 14 A | Drain-Source-Spannung max.: | 950 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 450 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2172536, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD95R450P7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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