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| Artikel-Nr.:
3794E-2172538 Herst.-Nr.:
IPL60R125P7AUMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 27 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = ThinPAK 8 x 8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) aufgrund einer Hervorragende Kommutierungsbeständigkeit Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten Ausgezeichnete ESD-Robustheit > von 2 kV (HBM) für alle Produkte Bessere RDS(on)/Paketprodukte im Vergleich zu Konkurrenzprodukten, die durch ein ermöglicht werden Niedriger RDS(on) * A (unter 1 Ohm * mmmmmmmm2) Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 27 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | ThinPAK 8 x 8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172538, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPL60R125P7AUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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