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| Artikel-Nr.:
3794E-2172613 Herst.-Nr.:
IRFH8325TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 82 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 7,2 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5-mm-x-6-mm-PQFN-Gehäuse.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Logikpegel: Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 82 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,2 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.35V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, pqfn mosfet, 2172613, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFH8325TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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