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| Artikel-Nr.:
3794E-2172617 Herst.-Nr.:
IRFR220NTRLPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 200 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.Planare Zellstruktur für eine breite SOA Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard Kann wellengelötet werden Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2172617, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFR220NTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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