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| Artikel-Nr.: 3794E-2173660 Herst.-Nr.: 70V27L15PFG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Speicher Größe = 512kbit Organisation = 32 K x 16 Anzahl der Wörter = 32K Anzahl der Bits pro Wort = 16bit Zugriffszeit max. = 15ns Adressbusbreite = 32bit Low Power = Ja Timing Typ = Asymmetrisch Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = TQFP-100 Pinanzahl = 100 Abmessungen = 14 x 14 x 1.4mm Arbeitsspannnung max. = 3,6 V Breite = 14mm
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM der Serie Renesas Electronics 70V27 mit 32 K x 16 Dual-Port wurde für den Einsatz als eigenständiger Dual-Port-RAM oder als Kombination aus MASTER/SLAVE Dual-Port-RAM für 32-Bit- oder breitere Speichersystemanwendungen entwickelt. Er hat eine 100-Kanal-Zählung und einen TQFP-Gehäusetyp. Der SRAM hat eine C-Temperaturklasse.Separate obere und untere Byte-Steuerung für Busabgleichfähigkeit Zwei Chips ermöglichen eine Tiefenerweiterung ohne externe Logik 70 V27 erweitert die Datenbusbreite einfach auf 32 Bit oder Mehr Besetzt- und Unterbrechungsfahnen Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Speicher Größe: | 512kbit | Organisation: | 32 K x 16 | Anzahl der Wörter: | 32K | Anzahl der Bits pro Wort: | 16bit | Zugriffszeit max.: | 15ns | Adressbusbreite: | 32bit | Low Power: | Ja | Timing Typ: | Asymmetrisch | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TQFP-100 | Pinanzahl: | 100 | Abmessungen: | 14 x 14 x 1.4mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 V | Breite: | 14mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2173660, Halbleiter, Speicherbausteine, Renesas Electronics, 70V27L15PFG, Semiconductors, Memory Chips |
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