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Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, PDIP-48 48-Pin
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
3794E-2177890
Hersteller:
Renesas Electronics
Herst.-Nr.:
7130LA35PDG
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
S-RAM Support-IC
SRAM
s-ram support-ic
Speicher Größe = 16kbit
Organisation = 1 K x 8
Anzahl der Wörter = 2K
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 100ns
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = PDIP-48
Pinanzahl = 48
Abmessungen = 61.7 x 15.24 x 3.8mm
Arbeitsspannnung max. = 5,5 V
Breite = 15.24mm
Der Renesas Electronics 7130 ist ein Hochgeschwindigkeits-RAM mit 1 K x 8 Dual-Port, der als eigenständiger 8-Bit-RAM mit zwei Anschlüssen oder als ″Master″-RAM mit zwei Anschlüssen zusammen mit dem 7140-System ″SLAVE″ mit zwei Anschlüssen in 16-Bit- oder mehr Wortbreiten verwendet werden kann, was zu voller Geschwindigkeit führen würde. Fehlerfreier Betrieb ohne zusätzliche diskrete Logik. Eine automatische Abschaltfunktion, die von CE gesteuert wird, ermöglicht es dem On-Chip-Schaltkreis jedes Anschlusses, in einen sehr niedrigen Standby-Modus zu wechseln. Es ist ein Produkt in Militärqualität gemäß MIL-PRF-38535 QML erhältlich.Echte Dual-Ported-Speicherzellen, die einen gleichzeitigen Zugriff auf den ermöglichen Gleiche Speicherposition On-Chip-Port-Arbitrierung-Logik Ausgangsflag ″Besetzt″ INT-Flag für Port-zu-Port-Kommunikation
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
16kbit
Organisation:
1 K x 8
Anzahl der Wörter:
2K
Anzahl der Bits pro Wort:
16bit
Zugriffszeit max.:
100ns
Low Power:
Ja
Timing Typ:
Asymmetrisch
Montage-Typ:
THT
Gehäusegröße:
PDIP-48
Pinanzahl:
48
Abmessungen:
61.7 x 15.24 x 3.8mm
Arbeitsspannnung max.:
5,5 V
Breite:
15.24mm
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Halbleiter
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Speicherbausteine
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SRAM
Weitere Suchbegriffe:
2177890
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Halbleiter
,
Speicherbausteine
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Renesas Electronics
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7130LA35PDG
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