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Infineon OptiMOS™ 3 IPD096N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2183038
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD096N08N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 73 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0096 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
73 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0096 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2183038, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD096N08N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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