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| Artikel-Nr.: 3794E-2183060 Herst.-Nr.: IPG20N10S436AATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = OptiMOS™ -T2 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,036 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | OptiMOS™ -T2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,036 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 2183060, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPG20N10S436AATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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