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Infineon HEXFET IRFH8201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 324 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2183104
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFH8201TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 324 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,95 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
324 A
Drain-Source-Spannung max.:
25 V
Serie:
HEXFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,95 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
2.35V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2183104, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFH8201TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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