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| Artikel-Nr.: 3794E-2184332 Herst.-Nr.: FF1800R17IP5PBPSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-Konfiguration = Dual Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 1,8 kA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1700 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Gehäusegröße: | Prime3+ | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 10 | Transistor-Konfiguration: | Dual |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184332, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF1800R17IP5PBPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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