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| Artikel-Nr.: 3794E-2184363 Herst.-Nr.: FS200R12PT4PBOSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Channel-Typ = N Pinanzahl = 20 Transistor-Konfiguration = Six Pack Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 200 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Gehäusegröße: | Modul | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Six Pack |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184363, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS200R12PT4PBOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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