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| Artikel-Nr.: 3794E-2184384 Herst.-Nr.: IDW80C65D2XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Diodenkonfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Sperrspannung max. = 650V Gehäusegröße = TO-247 Diodentechnologie = Siliziumverbindung Pinanzahl = 3
Die Infineon Rapid 1-Serie Schalt-Emitter-Controller Power Silizium-Diode in gemeinsamer Kathodenkonfiguration und in einem TO-247-Gehäuse, die eine Designoptimierung für kompaktere Abmessungen, einfachere Montage und damit geringere Kosten ermöglicht. Es wird in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, Adapter, Haushaltsgeräte und Klimaanlagen eingesetzt. Er hat einen Durchlassstrom von 80 A.1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung Höchster Weichheitsfaktor für ultimative Weichheit und geringe EMI-Filterung Niedrige Rückgewinnungsladung Niedriger Rückstellstrom Für Anwendungen, die zwischen 18 kHz und 40 kHz wechseln Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 650V | Gehäusegröße: | TO-247 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Pinanzahl: | 3 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2184384, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Infineon, IDW80C65D2XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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