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| Artikel-Nr.:
3794E-2194222 Herst.-Nr.:
SCTH40N120G2V-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SCTH40N
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,105 O
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.AEC-Q101-qualifiziert Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität Weitere Informationen: | | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | SCTH40N | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,105 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2194222, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, SCTH40N120G2V7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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