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| Artikel-Nr.: 3794E-2194327 Herst.-Nr.: BUK98150-55A/CUF EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = BUK98150 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,161 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Nexperia BUK98150-55A/CUF Logikebene N-Kanal-Verbesserungsmodus (FET) in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-TechnologieGeringe Leitungsverluste aufgrund eines niedrigen Durchlasswiderstands Q101-konform Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Serie: | BUK98150 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,161 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-223, smd transistor, 2194327, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BUK9815055ACUF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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