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| Artikel-Nr.:
3794E-2195979 Herst.-Nr.:
IPA60R280CFD7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ CFD7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,28 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Der Infineon 600V CoolMOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS 7-Serie komplettierende. CoolMOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.Ultraschnelle Gehäusediode Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr) Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 31 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ CFD7 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,28 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2195979, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R280CFD7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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