Infineon CoolMOS P7 IPN80R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin SOT-223

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS P7

Die Infineon 800 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.Einfach zu fahren und zu entwickeln Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs