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Infineon OptiMOS™ 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2207376
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB019N08N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Diode
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0019 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
180 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Serie:
OptiMOS™ 3
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0019 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet d2pak, 2207376, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB019N08N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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