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Infineon OptiMOS™ 5 IPB033N10N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2207380
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB033N10N5LFATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Diode
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 170 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = OptiMOS™ 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0033 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.1V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
170 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
OptiMOS™ 5
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0033 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.1V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet d2pak, 2207380, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB033N10N5LFATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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