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Infineon OptiMOS™ IPB100N08S2L07ATMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 75 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2207387
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB100N08S2L07ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
diode infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00065 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
100 A
Drain-Source-Spannung max.:
75 V
Serie:
OptiMOS™
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,00065 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: diode, mosfet 100a, 2207387, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB100N08S2L07ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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