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| Artikel-Nr.:
3794E-2207395 Herst.-Nr.:
IPB70N12S311ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 120 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0113 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das Infineon bietet ein breites Portfolio an Kfz-Leistungs-MOSFETs mit einer Spannung von 120 V, 150 V, 200 V, 250 V und 300 V für Anwendungen wie Wechselrichter für leichte Elektrofahrzeuge (LSEV, e-Motorräder, e-Scooters), DC/AC-Umwandlung, Und integrierte Ladegeräte sowie synchrone HV-12V DC/DC-Gleichrichtung für Batterie-elektrische Fahrzeuge (BEV) für den aufkommenden 48-V-Markt. Sehen Sie sich unsere neu eingeführten 100-V-Produkte in TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8) und SSO8 (TDSON-8) an.OptiMOSTM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen N-Kanal - Anreicherungstyp Kfz AEC Q101 zugelassen MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 70 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0113 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet d2pak, 2207395, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB70N12S311ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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