Infineon CoolMOS™ P7 IPU95R2K0P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 950 V / 4 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 950 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die IPU95R2K0P7 von Infineon wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden. Die neueste 950-V-Cool-MOS-P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Er bietet 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900 V Cool MOS C3, die Serie 950 V Cool MOS P7 bietet eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Cool MOS P7-Serie 950V über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Cool MOS P7 wurde mit Best-in-Class VGS(der) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Ansteuern und das Design erleichtert.Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss Reduzierte Qg, Ziss und Coss Erstklassiger DPAK RDS(on) von 450 mΩ Klassenbeste VGS(der) von 3 V und kleinste VGS(die)-Variation von ±0,5 V Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM) Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit