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| Artikel-Nr.:
3794E-2216733 Herst.-Nr.:
NTMT090N65S3HF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = NTMT090N
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.Extrem niedrige Gate-Ladung Niedrige effektive Ausgangskapazität 569 pF 100%ig auf Stoßentladung geprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 36 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | NTMT090N | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,09 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 2216733, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMT090N65S3HF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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