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| Artikel-Nr.:
3794E-2216759 Herst.-Nr.:
NVTFS4C02NTAG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 28,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0031 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Transistor-Werkstoff = Si
Der on Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 3 x 3 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Die benetzbare Flankenoption ist für eine verbesserte optische Inspektion erhältlich. Es verwendete AEC-Q101-qualifizierten MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 28,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0031 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: 2216759, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVTFS4C02NTAG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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