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| Artikel-Nr.:
3794E-2222831 Herst.-Nr.:
DMN2310UWQ-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = DMN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,2 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.95V
Transistor-Werkstoff = Kunststoff
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | DMN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.95V | Transistor-Werkstoff: | Kunststoff |
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| Weitere Suchbegriffe: 2222831, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2310UWQ7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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