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| Artikel-Nr.: 3794E-2224379 Herst.-Nr.: SP8M3HZGTB EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A, 5 A. Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = SP8M3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,051 OMH, 0,056 OMH Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Rohm SP8M3HZG n MOSFET für die Automobilindustrie, der EC-Q101-zertifiziert ist. NCH+Pch 30-V-MOSFETs mit ESD-Schutzdiode sind im SOP8-Gehäuse enthalten. Ideal für Schaltanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines SMD-Gehäuse (SOP8) Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Halogenfrei SN100 % Beschichtung AEC-Q101-qualifiziert Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,5 A, 5 A. | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | SP8M3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,051 OMH, 0,056 OMH | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2224379, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, SP8M3HZGTB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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