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| Artikel-Nr.: 3794E-2224605 Herst.-Nr.: AUIRF2804STRL7P EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 320 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0016 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 320 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0016 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 2224605, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRF2804STRL7P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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