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| Artikel-Nr.:
3794E-2224608 Herst.-Nr.:
AUIRF7103QTR EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,13 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.Fortschrittliche Planartechnologie Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand Logikebenen-Gate-Antrieb Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,13 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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