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| Artikel-Nr.:
3794E-2224622 Herst.-Nr.:
BSC098N10NS5ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0098 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SuperSO8 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0098 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224622, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC098N10NS5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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