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| Artikel-Nr.:
3794E-2224707 Herst.-Nr.:
IPP65R110CFDAAKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 31,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,11 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224707, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP65R110CFDAAKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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