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| Artikel-Nr.:
3794E-2224729 Herst.-Nr.:
IPZ65R065C7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das Infineon Design der Cool MOS TM C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit Bessere Effizienz durch Best-in-Class-FOM RDS(on) * Eoss und RDS(on) * Qg Erstklassiger RDS(on) /package Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,065 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224729, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPZ65R065C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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