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| Artikel-Nr.:
3794E-2224747 Herst.-Nr.:
IRFH8311TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0021 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Niedriger RDSon (<1,15 mΩ) Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W) 100 % Rg geprüft Flache Bauweise (<0,9 mm) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0021 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.35V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 30a, 2224747, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFH8311TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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