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| Artikel-Nr.:
3794E-2224796 Herst.-Nr.:
FF6MR12KM1BOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 250 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = FF6MR
Montage-Typ = Schraubmontage
Drain-Source-Widerstand max. = 5,81 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.45V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das Infineon Halbbrückenmodul mit 62 mm, 1200 V, 6 mΩ und Cool Sic TM MOSFET.Hohe Stromdichte Niedrige Schaltverluste Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit Höchste Robustheit gegen Feuchtigkeit Robuste integrierte Gehäusediode und damit optimale thermische Bedingungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | FF6MR | Montage-Typ: | Schraubmontage | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,81 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.45V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224796, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF6MR12KM1BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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