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| Artikel-Nr.:
3794E-2224798 Herst.-Nr.:
FF900R12ME7B11BOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-ECONOD
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Das Infineon EconoDUAL TM 3 1200 V, 900 A zweifache Trenchstop ® IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC und Pressfit-Kontakttechnologie. Auch erhältlich mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien.Höchste Leistungsdichte Best-in-Class-VCE-Sat TVJ op = 175 °C Überlast Verbesserte Anschlussklemmen Optimierte Kriechstrecke für 1500-V-PV-Anwendungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 900 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Gehäusegröße: | AG-ECONOD | Channel-Typ: | N | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2224798, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF900R12ME7B11BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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