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Infineon IGBT / 50 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2224801
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP50R12W2T7B11BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-EASY2B.
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
AG-EASY2B.
Channel-Typ:
N
Transistor-Konfiguration:
Single & Common Emitter
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2224801, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP50R12W2T7B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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