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| Artikel-Nr.:
3794E-2224851 Herst.-Nr.:
IMBF170R650M1XTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 1700 V
Serie = IMBF1
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 650 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon CoolSiC TM SiC-MOSFET mit 1700 V, 650 mΩ in einem TO-263-7-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke ist für Fly-Back-Topologien optimiert, die in Hilfsnetzteilen verwendet werden, die an DC-Zwischenkreisspannungen mit 600 V bis 1000 V in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen angeschlossen sind.Optimiert für Fly-Back-Topologien Extrem niedrige Schaltverluste 12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel mit Fly-Back-Controllern Vollständig steuerbarer dV/dt zur EMI-Optimierung SMD-Gehäuse mit verbesserten Kriech- und Sicherheitsabständen, > 7 mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1700 V | Serie: | IMBF1 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 650 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224851, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMBF170R650M1XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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