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| Artikel-Nr.:
3794E-2224853 Herst.-Nr.:
IMW120R045M1XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 52 A
Drain-Source-Spannung max. = 1700 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik. CoolSiC-MOSFETs sind ideal für hart- und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und DC/DC-Wandler oder DC/AC-Wechselrichter.Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung Temperaturunabhängige Abschaltverluste Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 52 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1700 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungsfaktorkorrektur, 2224853, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW120R045M1XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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