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| Artikel-Nr.: 3794E-2224872 Herst.-Nr.: IMZ120R350M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,7 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Serie = IMZ1 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | IMZ1 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 350 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, 2224872, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMZ120R350M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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