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| Artikel-Nr.: 3794E-2236210 Herst.-Nr.: R6030KNZC17 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-3PF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,13 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-3PF-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich für Schaltanwendungen verwendet.Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr) Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Einfache Antriebskreise möglich Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-3PF | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,13 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2236210, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6030KNZC17, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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