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ROHM UT6JB5TCR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 3,5 A, 8-Pin DFN2020


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2236395
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     UT6JB5TCR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,22 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN2020-8D-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Halogenfrei
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
3,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
DFN2020
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
1,22 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: 2236395, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, UT6JB5TCR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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