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| Artikel-Nr.: 3794E-2236395 Herst.-Nr.: UT6JB5TCR EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DFN2020 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 1,22 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN2020-8D-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Halogenfrei Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,22 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2236395, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, UT6JB5TCR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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