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| Artikel-Nr.: 3794E-2238520 Herst.-Nr.: IPG20N06S2L65AATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = OptiMOS™ Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,065 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 2238520, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPG20N06S2L65AATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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