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| Artikel-Nr.: 3794E-2259915 Herst.-Nr.: SIHP15N80AEF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = EF-Series Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,35 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | EF-Series | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,35 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2259915, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP15N80AEFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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