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| Artikel-Nr.:
3794E-2259918 Herst.-Nr.:
SIHP5N80AE-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = E-Series
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,35 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Ziss) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Lawinenenergie (UIS) Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | E-Series | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,35 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2259918, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP5N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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